IRFH5210TRPBF

1. Kisebb vezetési veszteségek
2. Jobb hőelvezetést tesz lehetővé
3. Megnövekedett megbízhatóság
4. Megnövelt teljesítménysűrűség
5. Több gyártó kompatibilitása
6.Easier Manufacturing
7. Környezetbarátabb
8. Megnövekedett megbízhatóság

Gyártói cikkszám: IRFH9310TRPBF
Gyártó / BrandInternational Rectifier (Infineon Technologies)
A leírás része: MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Ólommentes állapot / RoHS állapot: Ólommentes / RoHS-kompatibilis
Raktári állapot: Új eredeti, 12000 db Raktárkészlet.
Szállítás innen: Hongkong
Szállítási mód: DHL/Fedex/TNT/UPS
Termékattribútum Attribútum értéke Válassza az Attribútum lehetőséget
Cikkszám IRFH9310TRPBF
Gyártó/Márka International Rectifier (Infineon Technologies)
Raktárkészlet 12000 db Raktárkészlet
Kategória Diszkrét félvezető termékek > Tranzisztorok - FET-ek, MOSFET-ek - Egyszemélyes
Leírás MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Ólommentes állapot / RoHS állapot: Ólommentes / RoHS-kompatibilis
Szélesség - Belül -55°C ~ 150°C (TJ)
Feszültség/áram – 1. kimenet PQFN (5x6)
Tolerancia 5250pF @ 15V
Farok típusú P-csatorna
Lépésszög MOSFET (fém-oxid)
Zsugorítási hőmérséklet Infineon Technologies
SFP/XFP típus ±20V
Remote Capability HEXFET®
Pitch - Kábel felületi rögzítése
Egyéb nevek Ólommentes / RoHS-kompatibilis
Egyéb nevek 1
Oscillator Type 8-PowerVDFN
30V-os DAC-ok száma
Minimális folyadék fajsúly ​​-
Párosítási irány 4,6 mOhm @ 21A, 10V
Gyártói cikkszám IRFH9310TRPBFDKR-ND
Hossz - Hordó Digi-Reel®
Lámpa színe 4,5V, 10V
Magas oldali feszültség – Max (bootstrap) 21A (Ta), 40A (Tc)
Funkció 58nC @ 4,5V
Tekercs teljesítmény aktív
Csatorna kapacitás (CS(ki), CD(ki)) 3,1W (Ta)
Kártyaolvasó típusa 2.4V @ 100µA
Tulajdonságok és előnyök
Jellemzők Eredményes előnyök
Alacsony RDSon (≤ 4,6 mΩ) Alacsonyabb vezetési veszteségek
Ipari szabvány PQFN csomag több gyártó kompatibilitása
RoHS-kompatibilis, ólmot, bromidot és halogént nem tartalmaz Környezetbarát
eredmények
jegyzet
Űrlap mennyisége
IRFH9310TRPBF PQFN 5 mm x 6 mm szalag és tekercs 4000
Rendelhető cikkszám Csomag típusa Standard Cs
VDS -30 V
RDS(be) max
(@VGS = 10V) 4,6 mΩ
Qg (tipikus) 110 nC
RG (tipikus) 2,8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 A
Maximális abszolút értéke
Paraméter mértékegységei
VDS lefolyó-forrás feszültség
VGS-kapu-forrás feszültség
ID @ TA = 25°C folyamatos leeresztő áram, VGS @ -10V
ID @ TA = 70°C folyamatos leeresztő áram, VGS @ -10V
ID @ TC = 25°C folyamatos leeresztő áram, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 70°C folyamatos leeresztő áram, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 25°C folyamatos leeresztő áram, VGS @ -10V (korlátozott csomag)
IDM impulzusos leeresztő áram
PD @TA = 25°C teljesítmény disszipáció
PD @ TA = 70°C Teljesítménydisszipáció
Lineáris leértékelési tényező W/°C
TJ Működési csomópont és
TSTG tárolási hőmérséklet tartomány
Ismétlődő minősítés;impulzusszélesség max.csomóponti hőmérséklet.
Kezdő TJ = 25°C, L = 1,1mH, RG = 50Ω, IAS = -17A.
impulzusszélesség ≤ 400 µs;terhelési ciklus ≤ 2%.
1 hüvelykes négyzet alakú rézlapra szerelve.
Az Rθ-t körülbelül 90 °C-os TJ-nél mérjük.
CSAK TERVEZÉSI TÁMOGATÁSHOZ, gyártási tesztelés alá nem esik.